檢索結果:共13筆資料 檢索策略: "光電晶體".ckeyword (精準) and cdept.raw="電子工程系"
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本論文研製積體化紫外光感測器與LED警示燈。所使用的晶圓為商用氮化鎵晶圓,經由光罩設計與利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程,達到選擇性地將部分最上層的p-GaN反轉成n-GaN,使…
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金屬氧化物薄膜電晶體具有高載子遷移率、大面積下有良好的均勻性、低溫製程及高光穿透度等優點,因此被廣泛的應用在顯示器領域,除此之外,金屬氧化物薄膜電晶體也可以作為光感測的用途,其具有比光二極體更高的光…
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本論文主要研究氮化鎵光偵測器與LED警示燈模組,在功能上做應用端的延伸以及元件改良,使研發模組具有更好的元件性能以及多樣的應用端功能,來實現未來商業化的可能性。 在模組元件氮化鎵光偵測器與L…
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本論文研究應用於光通訊系統的相關積體電路,包含發光元件、光接收元件、轉阻放大器、壓控振盪器與資料時脈回復電路。 第一部份探討光電晶體發光與檢光的設計,使用的是台積電0.35μm SiGe 3P…
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消費市場對光電積體電路(OEIC’s)的需求日益增加。為了尺寸微縮以及成本縮減考量下,高響應度及高速性能的光檢測器製造技術是當然必需的。 在本論文中,我們將經由模擬來探討光電晶體。一開始會討…
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本論文將以 Pentacene 作為主動層兼吸光層搭配 SubPc、C60 作為其餘之吸光材料, 補足能夠於全可見光波段的光吸收效果,且利用三者間造成的能階差,來提升光電參數。 第一部分,為了要讓 …
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現今消費市場對光電積體電路(OEICs)的需求日益增加,以及尺寸微縮和成本縮減考量下,高響應度(放大訊號能力)及高速性能的光檢測器製造技術是必需的。 並且現今多晶矽在物性以及製作技術上都有顯著的進步…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖形化藍寶石基板的晶圓,製作兩種不同種類的光偵測器,第一種為p-i-n結構光偵測器,第二種為n-p-i-n結構光電晶體光偵測器,後者使用矽擴散的…
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本論文研究應用於光通訊系統之積體電路元件,包含矽鍺發光晶片、矽鍺檢光晶片、可調式轉阻放大器與自動增益控制放大器,分別採用台積電(TSMC)之0.35μm SiGe 3P3M製程及0.18μm CMO…
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本論文我們製作了近紫外光p-i-n偵測器與異質接面光電晶體(Heterojunction phototransistors, HPTs)。兩種光偵測器都是設計了兩種形狀,有方型與長型。異質接面光電晶…